水浸超聲掃描顯微鏡自研發(fā)成功以來(lái)在工業(yè)和軍事應(yīng)用中使用的高端半導(dǎo)體電子產(chǎn)品的制造商長(zhǎng)期一直依賴精確的測(cè)試方法來(lái)識(shí)別缺陷的位置，例如微電子設(shè)備中的空隙、裂縫和不同層的分層，也稱為一個(gè)微芯片。制造商還采用掃描聲學(xué)顯微鏡 (SAM)，這是一種非侵入性和非破壞性的超聲波檢測(cè)方法，已成為在各種芯片生產(chǎn)步驟和封裝后的最終質(zhì)量檢測(cè)中檢測(cè)和分析缺陷的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

關(guān)于超聲掃描顯微鏡的掃描模式的不同常用的掃描模式主要有這些：按照檢測(cè)結(jié)果分為A掃描、B掃描、C掃描，三種不同的檢測(cè)模式，各有不同的優(yōu)勢(shì)，選擇合適的檢測(cè)模式，可以達(dá)到事半功倍的效果。

A：一點(diǎn)掃描：用波形圖來(lái)反應(yīng)缺陷的大致位置，優(yōu)點(diǎn)：最客觀的缺陷判基準(zhǔn)。缺點(diǎn)：缺陷展示不直觀，無(wú)法有效計(jì)算缺陷面積厚度等參數(shù)。需要有波形判斷經(jīng)驗(yàn)的專業(yè)人員分析判斷，人為誤判的影響較大。常見(jiàn)于低頻無(wú)損探傷領(lǐng)域，便攜式無(wú)損探傷儀器常用方法，專業(yè)無(wú)損探傷人員需要考取無(wú)損探傷證書(shū)。

A掃描是波形顯示，在示波器屏幕上橫坐標(biāo)代表時(shí)間，縱坐標(biāo)代表反射波的強(qiáng)度，根據(jù)反射波的強(qiáng)度大致估計(jì)缺陷的嚴(yán)重程度，根據(jù)反射波在橫軸的位置人工計(jì)算出缺陷的位置。操作人員需要根據(jù)示波器上的波形，將缺陷的大致范圍標(biāo)記在工件上。

B掃描顯示的是縱向截面掃描圖像，B掃描的結(jié)果相對(duì)比較直觀，采用數(shù)字像技術(shù)，B掃描是將反射波信號(hào)的相對(duì)位置顯示在一張圖上。在B掃描的圖像上，我們可以看到樣品不同位置的反射波信號(hào)。和金相圖像基本對(duì)應(yīng)。 優(yōu)點(diǎn)是利于計(jì)算物件的縱深，及厚度。

C掃描顯示的是橫向截面的情況。首先C掃描采用圖像處理技術(shù)，不同于A，B掃描模式時(shí)候的數(shù)字處理計(jì)算，可以方便直觀的找出缺陷情況，看出缺陷趨勢(shì)，甚至計(jì)算出缺陷的面積，更全面精準(zhǔn)的反映出工件質(zhì)量情況，